Le Silicium Poreux

Ce travail met en evidence l'importance du silicium poreux en presence de tetrachlorure de silicium dans le gettering et le blocage des impuretes lors de la croissance et l'obtention de couches minces de tres grande qualite.

La premiere partie est consacree a une generalite sur les proprietes des couches minces de Si.

Dans la deuxieme partie nous presentons les proprietes du silicium poreux (SP) et son effet de gettering.

L'effet de gettering par SP en presence du SiCl4 a ete evalue par l'augmentation prononcee de la mobilite des porteurs majoritaire et la longueur de diffusion des porteurs minoritaires.

Dans la troisieme partie est presente le montage utilise, ainsi que les conditions d'elaboration des couches de silicium.

La derniere partie donne les resultats des caracterisations structurales et electriques des couches minces elaborees sur des substrats de SP.

Les resultats montrent que la mobilite des porteurs varie de 107 a 186 cm2V-1s-1 et est plus elevee que celles obtenues par LPCVD et RT-LPCVD.