Peliculas nanocristalinas de GaAs crecidas por rf-sputtering

El desarrollo tecnologico actual permite sintonizar el espectro de absorcion y luminiscencia de materiales semiconductores sobre un rango muy ancho de energia, de alrededor de 1 a 2 eV, por variacion del tamano del microcristal.

Esto abre la oportunidad de fabricar laseres sintonizables y diodos emisores de luz basados en nanocristales.

El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los semiconductores mas usados en la optoelectronica y por lo tanto el estudio de los efectos del confinamiento cuantico sobre este material es de gran interes.

En este libro se describe el crecimiento de peliculas semiconductoras nanocristalinas de GaAs utilizando un sistema de deposicion por erosion catodica (rf-sputtering) y se da una explicacion al comportamiento del borde de absorcion optico del material en funcion del tamano de grano de los nanocristales.

Esta exploracion presenta un gran numero de posibles variantes experimentales que pueden ser consideradas para continuar desarrollando esta linea de investigacion.